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20KPA180A 发布时间 时间:2025/12/28 19:08:26 查看 阅读:10

20KPA180A 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电流、高效率的功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等场景。20KPA180A 的主要优势在于其具备高耐压能力和较大的连续漏极电流承载能力,能够在苛刻的工作环境下稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):200V
  最大漏极电流(ID):180A
  导通电阻(RDS(on)):典型值 2.8mΩ @ VGS = 10V
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V~4V @ ID = 250μA
  最大功率耗散(PD):300W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220
  技术:增强型

特性

20KPA180A MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了能效。其低RDS(on)特性使得该器件在大电流应用中表现出色,能够在高温条件下维持良好的性能。此外,该器件具备较高的雪崩能量承受能力,增强了在瞬态过压情况下的可靠性。由于其高速开关特性,20KPA180A适用于需要高频操作的应用,如同步整流和DC-DC转换器。此外,该器件的封装设计优化了散热性能,有助于在高功率应用中保持稳定运行。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围适中,支持常见的10V驱动电路,简化了与标准驱动IC的兼容性。同时,其较低的输入电容(CISS)和反向传输电容(CRSS)有助于提高开关速度并减少开关损耗。此外,该器件具备良好的抗短路能力,可以在一定程度上应对异常工作条件。20KPA180A还具有良好的热稳定性,能够在高温度环境下保持性能,适合用于汽车电子、工业控制、电源模块等领域。

应用

20KPA180A广泛应用于需要高电流和高效率的功率电子系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该器件可用于主开关或同步整流器,提高整体能效。在DC-DC转换器中,20KPA180A能够有效降低导通损耗,提高输出功率能力。此外,它还可用于电机驱动系统,如直流无刷电机控制器和电动汽车的逆变器模块,提供高可靠性和高效率的功率控制。在电池管理系统(BMS)中,该器件可用于电池充放电控制,确保大电流下的稳定运行。工业自动化系统、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和储能系统也常使用20KPA180A来实现高效的功率转换。

替代型号

IRF1405, FDP180N20F, IPW65R045CFD7, STW180N200K

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20KPA180A参数

  • 标准包装800
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列20KPA
  • 电压 - 反向隔离(标准值)180V
  • 电压 - 击穿201.1V
  • 功率(瓦特)20000W
  • 电极标记单向
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳P600,轴向
  • 供应商设备封装P600
  • 包装带卷 (TR)