时间：2025/6/24 1:53:56
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FDP050AN06A0 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动以及负载切换等场景。
其采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，从而提高效率并降低功耗。
型号：FDP050AN06A0
封装：TO-252 (DPAK)
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ
ID（连续漏极电流）：50A
fT（特征频率）：3.8MHz
Qg（栅极电荷）：17nC
VGS(th)（栅极阈值电压）：2V～4V
工作温度范围：-55℃～150℃
FDP050AN06A0 具有非常低的导通电阻 RDS(on)，仅为 4.5mΩ，这使得它在高电流应用中表现出色，能够显著减少导通损耗。
此外，该器件还具备较高的电流承载能力（ID=50A），使其非常适合大功率应用场景。
它的特征频率 fT 达到 3.8MHz，确保了高速开关性能，适用于高频电路设计。
由于采用了先进的制造工艺，FDP050AN06A0 在高温环境下也能保持稳定的工作状态，最高结温可达 150℃。
同时，较低的栅极电荷 Qg 和输入电容有助于减少开关损耗，并提升整体系统效率。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电动工具中的电机驱动
- 工业自动化控制中的负载切换
- 通信设备中的功率管理模块
- 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
FDP050AN06A
FDP050N06L
IRF540N
