CXM3006CR 是一款由 IXYS 公司生产的功率 MOSFET 晶体管,广泛应用于需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的平面技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高功率处理能力,适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、电池管理系统以及其他工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):连续 160A(Tc=25°C)
功耗(Pd):250W
导通电阻(Rds(on)):最大 3.6mΩ(在Vgs=10V时)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-263(D2Pak)
CXM3006CR 的核心特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高整体系统的能效。该器件的高漏极电流能力使其非常适合用于高功率密度设计,例如高性能电源和大功率电机驱动器。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在较高的环境温度下稳定运行。
其TO-263封装提供了优良的散热性能,同时保持了表面贴装的安装便利性,非常适合自动化生产流程。CXM3006CR还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
为了确保器件在极端工作条件下的可靠性,该MOSFET集成了过温保护和雪崩能量耐受能力,能够在短时间过载条件下保持稳定运行。
CXM3006CR 被广泛应用于多种高功率电子系统中。典型应用包括但不限于:高性能DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统(如电动车和储能系统)、电机驱动器、工业自动化设备、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及各种高功率LED照明系统。
由于其高电流能力和低导通电阻,它也常用于电动工具、无人机、机器人和电动汽车的电源管理系统中。在这些应用中,CXM3006CR 不仅提高了系统的能效,还能有效减少发热,延长设备的使用寿命。
IXFN160N60P, IXFH160N60Q, IRF1405, SiR182DP