时间：2025/8/17 1:43:05
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ZXRE125CF是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的高效能开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造，确保了低导通电阻和优异的热性能，同时具备较高的电流承载能力。ZXRE125CF采用小型DFN2x2封装形式，适用于空间受限的便携式电子设备设计。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
最大连续漏极电流(ID)：-4A（在VGS= -4.5V时）
导通电阻(RDS(on))：最大55mΩ（在VGS= -4.5V时）
阈值电压(VGS(th))：-0.55V至-1.3V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：DFN2x2（2mm x 2mm）
ZXRE125CF具有多项优异性能，包括低导通电阻、高电流容量以及优异的热稳定性。其低RDS(on)特性可以显著降低功率损耗，提高系统效率；同时在高温环境下仍能保持稳定工作，适合用于高密度PCB布局和散热受限的设计场景。此外，该MOSFET具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度。DFN2x2封装形式不仅节省空间，还具备良好的热管理性能，支持表面贴装工艺，提高了生产效率。
ZXRE125CF还具备较高的抗静电能力和良好的可靠性，适用于多种电子产品的设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、电源适配器和DC-DC转换器等。其高集成度和稳定性能使其成为现代便携式电子产品中理想的功率开关器件。
ZXRE125CF主要用于负载开关、电源管理单元、电池供电系统、DC-DC转换器、手持设备、电源适配器以及各类需要高效能P沟道MOSFET的电子系统中。由于其高效率和小尺寸封装，特别适合空间有限且对功耗敏感的应用场景，例如智能穿戴设备、物联网终端、无线耳机等消费类电子产品。
Si2301DS, BSS84, ZXMP2010F, FDMS3610
