时间：2025/7/4 6:34:23
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FDP047AN08A0 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种高效能功率转换应用。
这款 MOSFET 主要用于电源管理领域，包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。其出色的电气特性使得它在高频工作条件下依然能够保持较高的效率和较低的功耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
栅极电荷：11nC
总电容（Ciss）：2320pF
功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +15TO-220
FDP047AN08A0 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低导通损耗并提高整体系统效率。
2. 高额定电流能力（25A 连续漏极电流），使其能够胜任大电流应用场景。
3. 快速开关特性，具备低栅极电荷和输出电荷，有助于减少开关损耗。
4. 具备优秀的热稳定性，能够在较高环境温度下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 提供卓越的雪崩能力和鲁棒性，增强了器件在异常条件下的耐受力。
FDP047AN08A0 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中作为主功率开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管或主开关管。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动汽车及混合动力汽车的辅助电力系统。
由于其高效的特性和稳健的设计，FDP047AN08A0 在需要高性能和高可靠性的场合表现出色。
IRFZ44N
FDP13N10
STP36NF06L
