FDP5N50F 时间：2025/8/25 3:38:51 阅读：4

FDP5N50F是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率的应用场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子产品中的功率控制电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.7A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.0Ω @ Vgs=10V
　　漏极电流（Id）峰值：18.8A
　　功率耗散（Pd）：60W
　　输入电容（Ciss）：300pF（典型值）

特性

FDP5N50F具备多项优良特性，适用于高要求的功率应用。首先，其高耐压能力（500V）使得该器件能够在高压环境中稳定运行，同时其低导通电阻确保了在大电流下的高效能转换，降低了功率损耗。此外，FDP5N50F采用了先进的平面工艺技术，使其在高频开关应用中表现出色，具备快速开关能力，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽（可支持10V至20V），便于与多种驱动电路匹配。同时，该器件具备良好的热稳定性和过载能力，能在较宽的工作温度范围内可靠运行，适用于严苛的工业环境。
　　另外，FDP5N50F还具有较低的漏电流和较高的抗干扰能力，有助于提升系统的稳定性和安全性。其结构设计优化了电磁干扰（EMI）特性，有利于在高频开关电路中减少噪声和干扰，提高系统兼容性。

应用

FDP5N50F广泛应用于各类需要高压和高效率功率控制的电子系统中。例如，它常见于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器以及电池充电器等电源管理模块中。由于其快速开关特性，该器件也适用于电机控制、LED照明驱动电路和逆变器系统。
　　在工业自动化领域，FDP5N50F可用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源模块和伺服驱动器等设备中的功率开关元件。在消费类电子产品中，如电视电源、智能家居控制模块和电动工具中，它也常被用作主控MOSFET。
　　此外，FDP5N50F还可用于新能源领域，如太阳能逆变器、风力发电控制系统以及电动车充电模块等，以实现高效的能量转换与管理。