型号：IXTA3N50D2
　　制造商：IXYS
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（V_DS）：500V
　　连续漏极电流（I_D）@25°C：3A
　　连续漏极电流（I_D）@100°C：1.9A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：12A
　　栅源电压（V_GS）：±30V
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=10V：4.5Ω 最大值
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=10V, I_D=1.5A：典型值约3.8Ω
　　阈值电压（V_GS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Q_g）@V_DS=400V, I_D=3A：约30nC
　　输入电容（C_iss）@V_DS=25V：约65pF
　　输出电容（C_oss）@V_DS=25V：约27pF
　　反向恢复时间（t_rr）：约75ns
　　反向恢复电荷（Q_rr）：约120nC
　　最大结温（T_j）：150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　安装方式：通孔（Through-Hole）

IXTA3N50D2具备多项关键电气和物理特性，使其成为高电压开关应用的理想选择。首先，其500V的高漏源击穿电压允许器件在高压环境中安全运行，适用于多种离线式电源拓扑，如反激式、正激式和半桥变换器。其次，该MOSFET的导通电阻在同类产品中表现良好，在V_GS=10V时最大仅为4.5Ω，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。尽管其R_DS(on)相对现代超结MOSFET略高，但在成本敏感且对性能有一定要求的应用中仍具竞争力。器件的栅极电荷较低（约30nC），意味着驱动电路所需的能量较少，有利于高频操作下的效率优化，并减少驱动芯片的负担。此外，其输入和输出电容较小，进一步降低了开关过程中的动态损耗，提升了开关速度。
　　另一个显著特点是其集成的快速恢复体二极管，反向恢复时间约为75ns，反向恢复电荷约为120nC，远优于传统MOSFET中的标准体二极管。这使得IXTA3N50D2在需要续流功能的电路中（如PWM控制的开关电源）能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），避免因二极管反向恢复引起的额外损耗和器件应力。该特性对于提高系统可靠性和稳定性至关重要，尤其是在硬开关拓扑中。
　　从热管理角度看，TO-220AB封装提供了良好的散热能力，可通过外接散热片将热量有效传导至外部环境，确保器件在高负载下长期稳定运行。该封装也便于手工焊接和自动化装配，广泛用于中小功率电源模块的制造。此外，IXTA3N50D2具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容标准逻辑电平和通用驱动电路，便于与PWM控制器直接接口。综合来看，IXTA3N50D2在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，适用于多种中等功率电力电子应用。

IXTA3N50D2广泛应用于各类中等功率的开关电源和电力转换系统中。典型应用包括AC-DC开关模式电源（SMPS），特别是用于电视机、显示器、打印机等消费电子产品中的离线式反激电源。在这些系统中，该MOSFET作为主开关元件，负责将整流后的高压直流电通过高频斩波传递到变压器初级侧，实现高效的电压转换与隔离。此外，它也常用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在输入电压较高的工业控制系统中，例如48V转高压的中间母线转换器。
　　在照明领域，IXTA3N50D2可用于电子镇流器或LED驱动电源，尤其适用于需要恒流输出和高效率的场合。其快速开关特性和低栅极驱动需求使其非常适合用于高频振荡电路，提升灯具的整体光效和寿命。在逆变器系统中，如小型UPS不间断电源或太阳能微逆变器，该器件可作为DC-AC转换级的开关元件，配合控制电路实现正弦波或方波输出。
　　工业电机控制也是其重要应用方向之一，尤其是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，IXTA3N50D2可用于实现精确的PWM调速和方向控制。同时，由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可用于工业自动化设备中的继电器替代、电磁阀驱动等功率切换场景。此外，该器件还适用于电池充电器、适配器、电信整流模块等需要高可靠性和长寿命的电源装置。总的来说，凡是需要在500V以下电压等级进行高效、高频开关操作的场合，IXTA3N50D2都是一种成熟且值得信赖的选择。

STP3NK50ZFP
　　FQP3N50C
　　2SK3569