FDP027N08B_F102 时间：2025/12/29 14:21:31 阅读：9

FDP027N08B_F102是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流和高频率的应用场景。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）特性，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。其封装形式为DPAK（TO-252），适用于表面贴装工艺，便于在各类电源系统中集成。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：100A
　　最大功率耗散（PD）：220W
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

FDP027N08B_F102的主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。其80V的漏源电压额定值使其适用于多种中高压电源应用，例如DC-DC转换器、电机控制器和电源管理系统。此外，该MOSFET采用先进的平面技术，确保了在高频开关应用中的稳定性能。
　　该器件还具备较高的热稳定性和耐久性，能够在高功率和高温环境下稳定工作。由于其DPAK封装具有良好的散热性能，因此特别适用于需要高功率密度的设计。此外，FDP027N08B_F102具备快速开关能力，适用于高频率工作的电源拓扑结构，如同步整流器和高频逆变器。

应用

FDP027N08B_F102广泛应用于各种电力电子系统，包括但不限于电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统（BMS）。在服务器电源、电信设备、工业自动化和消费类电子产品中也常见其身影。由于其高电流承载能力和低导通电阻，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的应用场景，例如电源模块和高功率密度系统。