时间：2025/9/15 0:44:47
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BSS138PS,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于低电压和低电流的开关电路中。该器件采用小型DFN（Dual Flat No-lead）封装，适合空间受限的应用，如便携式设备、逻辑电平转换器以及负载开关等。BSS138PS,115 具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热性能，能够在低电压条件下高效运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：300mA
脉冲漏极电流（IDM）：1.2A
导通电阻（RDS(on)）：最大5Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN1010D-3
BSS138PS,115 MOSFET具备多项优异特性，使其在低压应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可确保在工作状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体能效。其次，该器件的快速开关特性有助于减少开关过程中的能量损失，适用于高频开关应用。此外，BSS138PS,115采用DFN封装，具有良好的热管理和小型化设计，适用于空间受限的电路板布局。该MOSFET还具备较强的耐压能力，其漏源击穿电压可达100V，适用于多种低压电源管理场景。最后，其栅极驱动电压范围宽广（最高可达±20V），增强了设计的灵活性，并确保与多种控制电路的兼容性。
BSS138PS,115在工作温度范围上表现出色，可在-55°C至+150°C的环境下稳定运行，适用于工业级和消费级应用场景。其封装形式DFN1010D-3具备良好的机械稳定性和散热性能，有助于提高整体系统的可靠性。该MOSFET还具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少高频应用中的信号失真和功耗。此外，该器件的跨导（gfs）较高，有助于提升开关速度和负载能力。
BSS138PS,115适用于多种低电压开关和功率管理应用，包括便携式电子设备中的负载开关、电池管理系统、逻辑电平转换器、小型电机驱动器、LED照明控制以及传感器接口电路。其DFN封装形式也使其成为高密度PCB设计的理想选择。此外，该器件还可用于通信设备、电源管理模块以及各种需要低功耗、高速开关性能的嵌入式系统中。
2N7002, FDN340P, SI2302DS, BSS138
