HY4004B是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于早期的高性能存储器产品之一。这款芯片广泛应用于计算机主板、工业控制系统以及需要较大内存容量的电子设备中。HY4004B采用4M x 4位的组织结构,提供高速数据访问能力,适用于对内存性能有一定要求的场景。该芯片具有良好的稳定性和兼容性,是上世纪90年代中期至后期广泛使用的DRAM芯片之一。
容量:16Mbit
组织结构:4M x 4位
电源电压:5V
访问时间:10ns(典型值)
封装类型:SOJ(Small Outline J-Lead)
引脚数:50pin
工作温度范围:0°C 至 70°C
最大工作频率:100MHz
刷新周期:64ms
HY4004B芯片具备高速数据访问能力,其10ns的访问时间在当时属于较快的水平,能够满足高性能系统的内存需求。
该芯片采用标准的SOJ封装形式,便于安装和更换,广泛适用于各种主板和嵌入式系统。
其5V电源供电设计符合当时主流DRAM的供电标准,确保了与现有系统的良好兼容性。
其低功耗设计在一定程度上减少了系统发热,提升了整体能效,有助于延长设备使用寿命。
HY4004B主要应用于早期的个人计算机、服务器、工业控制系统、通信设备、嵌入式系统以及各种需要DRAM存储器的电子设备中。
在计算机系统中,它常用于扩展主存储器容量,提升系统运行速度和数据处理能力。
在工业控制领域,HY4004B可用于PLC(可编程逻辑控制器)、自动化设备和测量仪器中,提供可靠的数据存储支持。
此外,该芯片也常见于老式通信设备中,如交换机、路由器等,用于缓存和处理数据包。
由于其良好的稳定性和兼容性,HY4004B也广泛用于教育和科研领域,作为教学实验和原型设计中的存储单元。
TC59N16AFT-10, KM416S1623C-10, CY7C1009B-10VC