HY4004B 时间：2025/9/2 6:41:15 阅读：24

HY4004B是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于早期的高性能存储器产品之一。这款芯片广泛应用于计算机主板、工业控制系统以及需要较大内存容量的电子设备中。HY4004B采用4M x 4位的组织结构，提供高速数据访问能力，适用于对内存性能有一定要求的场景。该芯片具有良好的稳定性和兼容性，是上世纪90年代中期至后期广泛使用的DRAM芯片之一。

参数

容量：16Mbit
　　组织结构：4M x 4位
　　电源电压：5V
　　访问时间：10ns（典型值）
　　封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
　　引脚数：50pin
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　最大工作频率：100MHz
　　刷新周期：64ms

特性

HY4004B芯片具备高速数据访问能力，其10ns的访问时间在当时属于较快的水平，能够满足高性能系统的内存需求。
　　该芯片采用标准的SOJ封装形式，便于安装和更换，广泛适用于各种主板和嵌入式系统。
　　其5V电源供电设计符合当时主流DRAM的供电标准，确保了与现有系统的良好兼容性。　　此外，该芯片具备较强的抗干扰能力，在工业环境下也能保持稳定运行，适合用于工业控制、通信设备等可靠性要求较高的应用领域。
　　其低功耗设计在一定程度上减少了系统发热，提升了整体能效，有助于延长设备使用寿命。

应用

HY4004B主要应用于早期的个人计算机、服务器、工业控制系统、通信设备、嵌入式系统以及各种需要DRAM存储器的电子设备中。
　　在计算机系统中，它常用于扩展主存储器容量，提升系统运行速度和数据处理能力。
　　在工业控制领域，HY4004B可用于PLC（可编程逻辑控制器）、自动化设备和测量仪器中，提供可靠的数据存储支持。
　　此外，该芯片也常见于老式通信设备中，如交换机、路由器等，用于缓存和处理数据包。
　　由于其良好的稳定性和兼容性，HY4004B也广泛用于教育和科研领域，作为教学实验和原型设计中的存储单元。