A046 时间：2025/8/1 0:36:34 阅读：39

A046 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率管理和电源转换领域。该器件设计用于高效能、低功耗的开关应用，具有优异的热稳定性和电气性能，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统以及负载开关等场景。A046 采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻和高开关速度，从而减少导通损耗和开关损耗。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.8mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（PD）：100W

特性

A046 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术和优化的硅结构，以实现极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的开关性能。该器件的漏源电压为 30V，栅源电压范围为 ±20V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理应用。A046 的最大连续漏极电流为 50A，在 10V 栅极驱动电压下，其导通电阻仅为 3.8mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，A046 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的热性能，能够有效地将热量传导至 PCB，从而提高器件的可靠性和稳定性。该封装形式适合高密度 PCB 设计，并支持自动贴装工艺，便于大规模生产。在工作温度方面，A046 可在 -55°C 至 175°C 的宽温度范围内稳定运行，适用于高温和恶劣环境下的工业和汽车应用。
　　该 MOSFET 还具有快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，从而提升了整体能效。同时，其内部结构设计优化了短路耐受能力和热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。A046 的这些特性使其成为 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池保护电路以及负载开关等应用的理想选择。