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FDN357N 发布时间 时间:2025/5/22 20:39:30 查看 阅读:18

FDN357N是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)的产品系列。该器件通常用于开关和放大应用,其设计旨在提供低导通电阻和高效率的性能。这种MOSFET适用于广泛的电子设备中,例如电源管理电路、负载开关、DC-DC转换器等。
  FDN357N采用小型化的SOT-23封装形式,这使其非常适合于对空间要求严格的便携式电子产品。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  持续漏极电流:380mA
  导通电阻:1.6Ω(在Vgs=4.5V时)
  总功耗:320mW
  结温范围:-55℃至150℃

特性

FDN357N的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够在低电压条件下实现高效的功率传输。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 小型SOT-23封装,有助于节省PCB空间并简化设计布局。
  4. 优秀的热稳定性,确保在较宽温度范围内稳定工作。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
  这些特点使得FDN357N成为消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域中的理想选择。

应用

FDN357N广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和降压转换。
  2. 负载开关,在移动设备和其他便携式电子产品中起到保护和管理功能。
  3. DC-DC转换器,用于调节和稳定输出电压。
  4. 电池管理系统的充电和放电路径控制。
  5. 各种保护电路,如过流保护、短路保护等。
  由于其出色的电气特性和紧凑的设计,FDN357N在需要高效能与小体积结合的应用场景下表现优异。

替代型号

FDN357P, FDN358N

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FDN357N参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.9nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds235pF @ 10V
  • 功率 - 最大460mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDN357NTR