时间：2025/12/28 0:04:03
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WBT1.5-1SLD是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专门用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压的损害。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备极低的电容特性，适用于高速数据线路的信号完整性保护，如USB接口、HDMI端口、音频线路以及其他需要高频响应的通信接口。WBT1.5-1SLD属于双向TVS二极管结构，能够在正负两个方向上对过压事件进行钳位，从而为后级电路提供全面的保护。其封装形式为小型化的SOD-323（SC-76），便于在空间受限的便携式电子产品中使用，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。该器件符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61000-4-2 Level 4等关键国际电磁兼容性测试标准，确保在严苛的应用环境中仍能保持稳定可靠的性能表现。
器件类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
通道数：1
工作电压（VRWM）：1.5V
最大峰值脉冲电流（IPP）：1A
钳位电压（VC）：5V（典型值）
反向击穿电压（VBR）：最小1.7V，最大2.0V
结电容（Cj）：典型值40pF，最大50pF
极性：双向
封装形式：SOD-323（SC-76）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
ESD耐受能力：±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
WBT1.5-1SLD的核心特性之一是其超低的工作电压与快速响应能力，使其非常适合应用于低电压逻辑系统中，尤其是那些运行在1.8V或更低供电电压下的现代数字电路。由于其反向截止电压仅为1.5V，因此不会干扰正常信号传输，同时又能有效抑制高于此阈值的瞬态干扰。该器件具有极低的动态电阻，在发生ESD事件时能够迅速将电压钳制在安全范围内，防止下游IC因过压而损坏。其双向导通设计意味着无论瞬态电压极性如何，都能实现对称保护，避免单向器件可能出现的负向过冲问题。
另一个显著优势在于其寄生参数优化良好，特别是结电容控制在50pF以下，这对于高速信号线至关重要，因为高电容会引入信号衰减、反射和延迟，影响数据完整性。WBT1.5-1SLD的低电容特性使其适用于USB 2.0、I2C、UART等中等速率接口的防护，而不会显著劣化信号质量。此外，该TVS器件采用硅基PN结结构，拥有优异的热稳定性与长期可靠性，在多次ESD冲击后仍能维持原有电气特性，不易老化失效。
从系统集成角度看，WBT1.5-1SLD的小型化SOD-323封装极大节省了PCB布局空间，特别适合高密度贴装的消费类电子产品。其引脚配置简单，仅两个端子，安装方便且易于自动化生产。该器件还具备良好的焊接可靠性，支持回流焊工艺，并能在高温环境下长期稳定工作。综合来看，WBT1.5-1SLD是一款专为便携式、低功耗、高速接口量身定制的高性能ESD保护解决方案，兼顾了电气性能、物理尺寸与环境适应性的多重需求。
WBT1.5-1SLD广泛应用于各类需要高等级静电防护的消费电子与通信设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的耳机插孔、麦克风输入、按键开关等易受人体接触ESD影响的接口；也可用于保护工业传感器信号线、医疗监测设备前端以及汽车信息娱乐系统的辅助音频通道。由于其低工作电压特性，特别适合部署在采用1.8V或2.5V电源轨的CMOS逻辑电路前级，作为第一道防线抵御来自外部连接器引入的瞬态干扰。此外，该器件常被用于USB Type-A或Micro-USB端口的数据线保护，尤其是在不具备内置ESD防护功能的主控芯片设计中，外加此类TVS阵列可显著提升整机的EMI抗扰度和产品寿命。在智能家居设备如无线路由器、智能音箱、IoT网关中，WBT1.5-1SLD可用于保护调试接口（如UART/TTL串口）、I2C传感器总线等薄弱环节，防止现场维护过程中意外静电损伤。其符合IEC 61000-4-2 Level 4标准的能力也使其适用于需要通过严格安规认证的产品设计，帮助工程师轻松满足CE、FCC等市场准入要求。
WBL1.5-1SLD
