FDN337N-F169 是一款增强型 N 沟道逻辑电平 MOSFET,采用超小型 FGA169 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,非常适合于需要高效能和节省空间的应用场景。它广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动等电路中。
FDN337N-F169 的最大漏源电压为 30V,能够承受较高的电压波动,并且具备极低的 Rds(on),有助于降低功耗并提高效率。
最大漏源电压:30V
最大连续漏电流:5.8A
最大脉冲漏电流:12A
导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:1.9nC(典型值)
总电容(Ciss):133pF(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:FGA169
Rds(on)),可显著减少功率损耗,提升整体系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 极小的封装尺寸,节省 PCB 空间。
4. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 逻辑电平兼容的栅极驱动,易于与低电压控制器配合使用。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. DC-DC 转换器的功率开关。
4. 便携式电子设备中的电源管理。
5. 小型电机驱动和控制。
6. 各种消费类电子产品中的信号切换。
FDN337N, IRF7413, AO3400A