时间：2025/6/4 19:10:59
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FDN337N-F169 是一款增强型 N 沟道逻辑电平 MOSFET，采用超小型 FGA169 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合于需要高效能和节省空间的应用场景。它广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动等电路中。
FDN337N-F169 的最大漏源电压为 30V，能够承受较高的电压波动，并且具备极低的 Rds(on)，有助于降低功耗并提高效率。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：5.8A
最大脉冲漏电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：1.9nC（典型值）
总电容（Ciss）：133pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：FGA169
Rds(on)），可显著减少功率损耗，提升整体系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 极小的封装尺寸，节省 PCB 空间。
4. 较宽的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 逻辑电平兼容的栅极驱动，易于与低电压控制器配合使用。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. DC-DC 转换器的功率开关。
4. 便携式电子设备中的电源管理。
5. 小型电机驱动和控制。
6. 各种消费类电子产品中的信号切换。
FDN337N, IRF7413, AO3400A
