您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDN337N-F169

FDN337N-F169 发布时间 时间:2025/6/4 19:10:59 查看 阅读:6

FDN337N-F169 是一款增强型 N 沟道逻辑电平 MOSFET,采用超小型 FGA169 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,非常适合于需要高效能和节省空间的应用场景。它广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动等电路中。
  FDN337N-F169 的最大漏源电压为 30V,能够承受较高的电压波动,并且具备极低的 Rds(on),有助于降低功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏电流:5.8A
  最大脉冲漏电流:12A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:1.9nC(典型值)
  总电容(Ciss):133pF(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:FGA169

特性

Rds(on)),可显著减少功率损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 极小的封装尺寸,节省 PCB 空间。
  4. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 逻辑电平兼容的栅极驱动,易于与低电压控制器配合使用。

应用

1. 开关电源中的同步整流器。
  2. 电池供电设备中的负载开关。
  3. DC-DC 转换器的功率开关。
  4. 便携式电子设备中的电源管理。
  5. 小型电机驱动和控制。
  6. 各种消费类电子产品中的信号切换。

替代型号

FDN337N, IRF7413, AO3400A

FDN337N-F169推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDN337N-F169参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)300 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3