CY27H512-70WI 是一款由 Cypress(现为 Infineon Technologies)生产的非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。这款芯片结合了高速 SRAM 和非易失性存储技术,能够在系统断电时通过内部集成的电容器或外部电池备份机制保存数据。它广泛应用于需要快速数据访问和高可靠性的工业、医疗和通信领域。
该器件采用 CMOS 工艺制造,支持字节、半字和全字宽度操作,具备低功耗特性以及多种工作模式,非常适合对数据完整性要求较高的应用环境。
容量:512Kb (64K x 8)
工作电压:1.7V 至 3.6V
接口类型:SPI
最大时钟频率:70MHz
封装形式:WSON-8
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保持时间:10年(典型值)
擦写周期:无限次(SRAM部分),有限次(非易失性部分)
CY27H512-70WI 的主要特性包括:
1. 非易失性存储功能,在掉电后可保留数据。
2. 支持标准 SPI 协议,易于与微控制器或其他数字设备连接。
3. 内部具有自动切换电路,确保在主电源失效时无缝切换到备用电源以保护数据。
4. 提供硬件和软件写保护选项,防止意外写入或篡改数据。
5. 快速读写速度,能够满足实时数据记录的需求。
6. 小型化封装设计,适合空间受限的应用场景。
CY27H512-70WI 适用于以下应用领域:
1. 工业自动化设备中的数据日志记录。
2. 医疗设备中的患者数据存储和关键参数记录。
3. 通信系统中配置文件和运行状态的保存。
4. 计量仪器中的校准数据和测量结果存储车电子中的故障诊断信息记录。
6. 物联网设备中的本地数据缓存和长期存储。
CY15B104Q, MX25L51245G, AT25DF512