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DMP3011SFVWQ-13 发布时间 时间:2025/8/2 5:12:11 查看 阅读:20

DMP3011SFVWQ-13是一款由Diodes公司生产的双N沟道功率MOSFET,采用先进的TrenchFET技术,提供高效的功率转换性能。该器件主要用于需要高效率、小尺寸和高性能的电源管理系统,如DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及便携式设备中的电源控制部分。该MOSFET采用小型DFN5封装,具有低导通电阻、良好的热性能和优异的开关特性。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  连续漏极电流(ID):4.1A(单个通道)
  导通电阻(RDS(on)):24mΩ(典型值,VGS=4.5V)
  栅极电荷(Qg):6.8nC
  封装类型:DFN5

特性

DMP3011SFVWQ-13采用了先进的TrenchFET技术,使其在小尺寸封装中实现了极低的导通电阻和优异的开关性能。该器件的RDS(on)典型值为24mΩ,在高电流应用中能够有效降低功率损耗,提高系统效率。其DFN5封装形式不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,适用于高密度PCB布局。
  此外,该MOSFET具有快速开关能力,栅极电荷Qg仅为6.8nC,有助于减少开关损耗并提升高频应用的性能。双N沟道结构设计使其能够作为同步整流器或负载开关使用,在DC-DC转换器、电池管理系统和负载管理电路中表现出色。
  该器件的工作温度范围广泛,通常为-55°C至+150°C,适用于各种工业和消费类应用。内置的ESD保护功能也增强了其在复杂电磁环境中的可靠性。

应用

DMP3011SFVWQ-13广泛应用于各类高效电源管理系统中,包括但不限于同步整流DC-DC转换器、电池充电电路、负载开关、手持设备电源管理以及LED背光驱动电路。其小尺寸和高效率特性也使其成为便携式电子产品、智能家居设备和工业控制模块的理想选择。

替代型号

Si3442DV-T1-E3, BSS138K, DMN6140LVT-13

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DMP3011SFVWQ-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥6.60000剪切带(CT)3,000 : ¥2.54180卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19.8A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 11.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)46 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2380 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)980mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装,可润湿侧翼
  • 供应商器件封装PowerDI3333-8(SWP)UX 类
  • 封装/外壳8-PowerVDFN