DMP3011SFVWQ-13是一款由Diodes公司生产的双N沟道功率MOSFET,采用先进的TrenchFET技术,提供高效的功率转换性能。该器件主要用于需要高效率、小尺寸和高性能的电源管理系统,如DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及便携式设备中的电源控制部分。该MOSFET采用小型DFN5封装,具有低导通电阻、良好的热性能和优异的开关特性。
类型:双N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
连续漏极电流(ID):4.1A(单个通道)
导通电阻(RDS(on)):24mΩ(典型值,VGS=4.5V)
栅极电荷(Qg):6.8nC
封装类型:DFN5
DMP3011SFVWQ-13采用了先进的TrenchFET技术,使其在小尺寸封装中实现了极低的导通电阻和优异的开关性能。该器件的RDS(on)典型值为24mΩ,在高电流应用中能够有效降低功率损耗,提高系统效率。其DFN5封装形式不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,适用于高密度PCB布局。
此外,该MOSFET具有快速开关能力,栅极电荷Qg仅为6.8nC,有助于减少开关损耗并提升高频应用的性能。双N沟道结构设计使其能够作为同步整流器或负载开关使用,在DC-DC转换器、电池管理系统和负载管理电路中表现出色。
该器件的工作温度范围广泛,通常为-55°C至+150°C,适用于各种工业和消费类应用。内置的ESD保护功能也增强了其在复杂电磁环境中的可靠性。
DMP3011SFVWQ-13广泛应用于各类高效电源管理系统中,包括但不限于同步整流DC-DC转换器、电池充电电路、负载开关、手持设备电源管理以及LED背光驱动电路。其小尺寸和高效率特性也使其成为便携式电子产品、智能家居设备和工业控制模块的理想选择。
Si3442DV-T1-E3, BSS138K, DMN6140LVT-13