FDN337 时间：2025/12/29 13:49:32 阅读：19

FDN337是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效开关的电子电路中。该MOSFET具有低导通电阻、高速开关能力和优良的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等应用场景。FDN337采用SOT-23封装形式，具备较小的封装体积和良好的电气性能，适合在空间受限的PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大100mA
　　漏源击穿电压（VDS）：30V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大10Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

FDN337的主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率；高耐压能力，在VDS达到30V时仍能稳定工作，适用于多种低压电源管理应用；栅极驱动电压范围宽，支持常见的3.3V至10V驱动电路，便于与各种控制芯片匹配使用。
　　此外，该MOSFET具备快速开关特性，适合高频开关操作，减少开关损耗。SOT-23封装提供了良好的热管理性能，同时保持了紧凑的尺寸，适合高密度PCB布局。
　　FDN337还具有良好的抗静电能力，增强了器件在实际使用中的可靠性和稳定性。该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

应用

FDN337常见于低功耗电源管理系统，如便携式设备中的电池保护电路、USB接口电源开关、LED驱动控制电路等。此外，该MOSFET也可用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流元件、小型电机驱动电路、传感器信号开关等应用场景。
　　由于其优异的开关性能和封装尺寸的适配性，FDN337在消费类电子产品、工业自动化设备、通信模块及汽车电子系统中均有广泛应用。