MRF5007 是一款由 NXP Semiconductors(原摩托罗拉)生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于射频(RF)功率放大器应用。该器件设计用于在 175 MHz 至 500 MHz 的频率范围内工作,适用于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频发射系统。MRF5007 能够在高频率下提供高达 75W 的连续波(CW)输出功率,并具备良好的热稳定性和效率,适用于各种射频放大器设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
频率范围:175MHz - 500MHz
输出功率(CW):75W
工作电压:28V
增益:约 16dB
效率:约 65%
输入驻波比(VSWR):< 2.5:1
封装形式:TO-247
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
MRF5007 具备多项优异的电气和物理特性,适合用于中高功率射频放大器设计。
首先,该器件采用了先进的高导热性硅工艺技术,使其能够在较高的工作温度下保持稳定性能。其高输出功率能力和较高的功率增益,使得该器件适用于多种射频通信和工业加热设备。
其次,MRF5007 在 28V 的工作电压下运行,能够提供高达 75W 的连续波输出功率,具有较高的效率(约 65%),这对于需要长时间运行的设备来说非常重要。此外,该器件的增益约为 16dB,能够有效减少前级放大器的设计复杂度。
再次,MRF5007 的输入驻波比(VSWR)小于 2.5:1,表明其在较宽的频率范围内具有良好的阻抗匹配能力,有助于减少信号反射和损耗,提高系统的整体稳定性。
最后,MRF5007 采用 TO-247 封装形式,具有良好的散热性能,适用于各种高功率射频应用。该器件的工作温度范围为 -65°C 至 +150°C,适应性强,适用于恶劣的工作环境。
MRF5007 主要用于中高功率射频放大器的设计,广泛应用于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频系统中。例如,它常用于射频加热、等离子体发生器、射频焊接设备、无线通信基站和业余无线电发射设备等场景。该器件的高功率输出能力、高效率和良好的热稳定性,使其成为许多射频放大器设计中的首选元件。此外,MRF5007 也适用于 UHF 频段的电视发射设备、射频测试设备和工业控制系统的射频功率模块。
RD01MUS10, RD01HHF1, MRF5005