MRF5007 时间：2025/9/3 12:07:07 阅读：25

MRF5007 是一款由 NXP Semiconductors（原摩托罗拉）生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于射频（RF）功率放大器应用。该器件设计用于在 175 MHz 至 500 MHz 的频率范围内工作，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频发射系统。MRF5007 能够在高频率下提供高达 75W 的连续波（CW）输出功率，并具备良好的热稳定性和效率，适用于各种射频放大器设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　频率范围：175MHz - 500MHz
　　输出功率（CW）：75W
　　工作电压：28V
　　增益：约 16dB
　　效率：约 65%
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

MRF5007 具备多项优异的电气和物理特性，适合用于中高功率射频放大器设计。
　　首先，该器件采用了先进的高导热性硅工艺技术，使其能够在较高的工作温度下保持稳定性能。其高输出功率能力和较高的功率增益，使得该器件适用于多种射频通信和工业加热设备。
　　其次，MRF5007 在 28V 的工作电压下运行，能够提供高达 75W 的连续波输出功率，具有较高的效率（约 65%），这对于需要长时间运行的设备来说非常重要。此外，该器件的增益约为 16dB，能够有效减少前级放大器的设计复杂度。
　　再次，MRF5007 的输入驻波比（VSWR）小于 2.5:1，表明其在较宽的频率范围内具有良好的阻抗匹配能力，有助于减少信号反射和损耗，提高系统的整体稳定性。
　　最后，MRF5007 采用 TO-247 封装形式，具有良好的散热性能，适用于各种高功率射频应用。该器件的工作温度范围为 -65°C 至 +150°C，适应性强，适用于恶劣的工作环境。

应用

MRF5007 主要用于中高功率射频放大器的设计，广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频系统中。例如，它常用于射频加热、等离子体发生器、射频焊接设备、无线通信基站和业余无线电发射设备等场景。该器件的高功率输出能力、高效率和良好的热稳定性，使其成为许多射频放大器设计中的首选元件。此外，MRF5007 也适用于 UHF 频段的电视发射设备、射频测试设备和工业控制系统的射频功率模块。