时间：2025/5/19 11:02:35
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FDN335N-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适用于各种功率转换和负载开关应用。其小型化的封装形式使其非常适合于空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：4.7A
导通电阻：250mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极-源极电压：±20V
总功耗：1W
工作结温范围：-55℃至+150℃
FDN335N-NL采用了先进的制造工艺，具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，能够适应高频应用需求。
3. 高度集成的小型SOT-23封装，节省PCB板空间。
4. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
5. 具备出色的抗静电能力（ESD保护），提高了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
该MOSFET广泛应用于便携式设备、消费类电子、工业控制等领域。典型的应用包括：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. USB充电器和适配器的同步整流电路。
3. LED驱动器. 各种便携式设备中的电源管理模块。
5. 电池保护电路以及小型电机驱动控制。
FDN338N, FDN340N, BSS138
