时间：2025/8/6 2:56:38
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IXYN100N65C3H1 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压和高电流的应用。这款器件具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，非常适合用于电源管理和功率转换设备。IXYN100N65C3H1 采用 TO-247 封装，确保了在高功率操作下的可靠性和稳定性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.014Ω
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
IXYN100N65C3H1 具有多个显著的特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其导通电阻非常低（Rds(on) ≤ 0.014Ω），这减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件的高漏源击穿电压（650V）使其适用于高电压操作环境，同时能够承受较高的瞬态电压。漏极电流能力为 100A，允许在高负载条件下稳定工作。
此外，IXYN100N65C3H1 的热阻较低，确保在高功率操作下仍能保持良好的散热性能。该器件的封装形式为 TO-247，提供了良好的机械稳定性和散热能力。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在各种环境条件下使用，包括工业和恶劣环境。最后，该 MOSFET 具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
IXYN100N65C3H1 广泛应用于多种高功率电子设备中。其主要应用包括电源转换器、电机驱动器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、工业自动化和电力控制系统。此外，该器件也常用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统，其中高效率和高可靠性至关重要。由于其高耐压和大电流能力，IXYN100N65C3H1 也适用于各种需要高功率密度的电源管理解决方案。
IXFN100N65X2, IRFP4668, STP100N65M5
