您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDMS86568_F085

FDMS86568_F085 发布时间 时间:2025/8/24 15:29:50 查看 阅读:6

FDMS86568_F085 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的高性能双N沟道功率MOSFET,采用先进的PowerTrench?技术,旨在提供卓越的导通电阻(RDS(on))和热性能。该器件通常用于高效率电源管理应用,例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及同步整流器。FDMS86568_F085 采用紧凑的8引脚SOIC封装(有时也称为SO8封装),具有优良的散热设计,适合在空间受限但需要高性能的电路设计中使用。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏-源电压(VDS):30V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):@4.5V VGS时为8.5mΩ,@2.5V VGS时为12mΩ
  栅极电荷(Qg):9.5nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装:SO8

特性

FDMS86568_F085 采用先进的PowerTrench?制造工艺,具有非常低的导通电阻(RDS(on)),这有助于降低功率损耗并提高整体效率。其双N沟道设计使得它非常适合用于同步整流拓扑,例如在Buck转换器中同时作为高边和低边开关使用。该器件支持高达10A的连续漏极电流,使其能够处理较高的功率需求。
  此外,FDMS86568_F085 的栅极驱动电压范围较宽,在2.5V至4.5V之间均可有效工作,因此适用于多种类型的控制器和驱动电路,包括低压逻辑电路。其SO8封装不仅节省空间,而且具有良好的热管理能力,有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。
  另一个重要特性是其高雪崩能量耐受能力,使其在瞬态过压条件下具有更高的可靠性。该器件还具备快速开关特性,降低了开关损耗,从而提高了高频应用中的效率。

应用

FDMS86568_F085 广泛应用于各类电源管理系统,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池充电和管理系统(BMS)、便携式电子设备(如笔记本电脑、平板电脑、智能手机)的电源管理模块,以及工业自动化和控制设备中的功率控制部分。此外,该器件也常用于电机控制、LED照明驱动以及各类嵌入式系统中的高效电源转换电路。

替代型号

Si3442CDV-T1-GE3, FDMC86568, FDMS86500, IRF7424, AO4406A

FDMS86568_F085推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价