时间：2025/9/7 18:34:17
阅读：44
2SK1169 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等功率电子设备中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：8A
脉冲漏极电流（Idm）：32A
导通电阻（Rds(on)）：约0.95Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等
2SK1169 的核心特性包括其高耐压能力，使其适用于高压直流和交流电源转换应用。
该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少散热需求。
它具有良好的热稳定性和电流承载能力，适合在高负载条件下工作。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如PWM控制的DC-DC转换器和逆变器。
封装形式灵活，提供TO-220和TO-252等选项，方便根据电路板布局和散热要求进行选择。
由于其较高的栅极阈值电压（通常在2V至4V之间），该器件具有较好的抗噪能力和控制稳定性。
2SK1169 主要用于各种功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、继电器替代电路、LED驱动器以及工业控制和家电中的负载开关。
由于其高耐压和良好导通特性，该MOSFET也常用于通用逆变器和电源管理系统。
在节能照明系统和电池管理系统中，该器件用于实现高效的能量转换和管理。
此外，它也适用于需要隔离控制的电源开关应用，如智能电表和自动控制系统中的功率开关。
2SK1168, 2SK1336, 2SK2141, 2SK2545, IRFBC20
