GA1812A182GBCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,通常用于高效率、高频率的电源转换和电机驱动应用。该芯片采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而提高了整体系统效率并减少了能量损耗。
这款器件能够在高温环境下稳定运行,并具备出色的热性能和电气性能,非常适合于需要高可靠性和高效能的应用场景。
类型:功率MOSFET
封装形式:TO-247
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):1.8mΩ
Id(连续漏极电流):120A
f(tsw)(开关频率):500kHz
Qg(栅极电荷):95nC
Vgs(th)(栅极阈值电压):2.5V
Ptot(总功耗):220W
GA1812A182GBCAR31G具有非常低的导通电阻,仅为1.8mΩ,这使其在高电流应用中表现尤为突出。此外,其支持高达500kHz的开关频率,为高频电路设计提供了灵活性。
该器件采用TO-247封装形式,这种封装能够有效降低热阻并提高散热能力,同时其引脚布局也方便焊接与安装。
其最大漏源电压为60V,足以满足大多数工业级及消费级电子产品的电压需求。同时,120A的连续漏极电流允许其在大功率应用中使用,如电动汽车驱动器、太阳能逆变器等。
另外,该芯片的栅极阈值电压较低(2.5V),可兼容低压逻辑电路,便于与微控制器或其他数字信号处理单元集成。
总体而言,GA1812A182GBCAR31G以其优异的电气特性和机械稳定性,成为众多电力电子应用中的理想选择。
该芯片广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS):由于其高效率和低导通电阻,适用于各类AC-DC或DC-DC转换器。
2. 电机驱动:适合控制无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电动机,尤其是在电动车、家电等领域。
3. 太阳能逆变器:作为功率转换的关键元件,帮助将直流电转化为交流电以供家庭或电网使用。
4. 充电器:无论是手机快充还是工业设备充电,都可以利用其高频率和低损耗特点。
5. LED驱动器:为大功率LED照明提供稳定的电流输出。
IRFP260N
STP120NF06L
FDP18N60
CSD18540KCS