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IPB025N08N3G 发布时间 时间:2025/7/1 2:20:26 查看 阅读:9

IPB025N08N3G是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET,属于OptiMOS系列。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为DPAK(TO-263),便于散热和集成设计。这种MOSFET广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业控制等领域。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻(Rds(on)):4.4mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷:17nC(典型值)
  输入电容:2020pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装类型:DPAK(TO-263)

特性

IPB025N08N3G的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 高雪崩耐量能力,增强在异常情况下的可靠性。
  4. 内置反向二极管,支持同步整流和续流功能。
  5. 采用无铅材料,符合RoHS环保标准。
  6. 具有良好的热稳定性和抗浪涌能力,能够适应恶劣的工作环境。
  7. 支持高密度设计,减少整体解决方案的体积和成本。

应用

该MOSFET适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流开关。
  2. DC-DC转换器,包括降压、升压和升降压拓扑。
  3. 电机驱动电路,用于控制直流电机或步进电机。
  4. 电池管理系统的充放电路径控制。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子应用,例如车载充电器和电动助力转向系统。
  7. LED驱动器,提供高效且稳定的电流输出。

替代型号

IPP025N08N3G, IRFZ44N, FDP029N08L

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