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MVU14PCK 发布时间 时间:2025/8/30 1:38:19 查看 阅读:10

MVU14PCK是一款由ON Semiconductor生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和开关应用。该器件采用小型DFN1406封装(1.4mm x 0.6mm),适合空间受限的便携式电子产品设计。MVU14PCK具备低导通电阻、低栅极电荷以及良好的热性能,适用于高效率DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等应用场景。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-1.1A
  导通电阻(RDS(on)):320mΩ @ VGS = -4.5V;400mΩ @ VGS = -2.5V
  栅极电荷(Qg):8.5nC @ VGS = -4.5V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装:DFN1406(1.4mm x 0.6mm)

特性

MVU14PCK采用先进的Trench沟槽技术,具有较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的栅极电荷较小,使其在高频开关应用中表现出色,降低了开关损耗。此外,其紧凑的DFN1406封装不仅节省空间,还具有良好的热管理性能,能够有效散热。MVU14PCK还具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了器件在极端条件下的可靠性。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(-2.5V至-4.5V),支持灵活的电源设计,并兼容多种控制器和驱动器。其低漏电流特性在关断状态下可减少待机功耗,适合用于电池供电设备以延长续航时间。MVU14PCK还具有良好的抗静电(ESD)性能,提高了器件在生产、运输和使用过程中的稳定性与安全性。

应用

MVU14PCK广泛应用于便携式电子设备中的电源管理电路,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。其低导通电阻和高效率特性使其成为DC-DC转换器、同步整流器和负载开关的理想选择。此外,该器件也适用于USB电源开关、电池充电管理电路以及各种低电压功率开关应用。由于其封装小巧,MVU14PCK特别适合用于对空间要求严格的高密度电路设计中。

替代型号

DMG2306UFG-7、FDMS3618、AO4406A、Si2302DS、FDMC805

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MVU14PCK参数

  • 制造商3M
  • 产品Splices
  • 零件号别名05400701824 80610047351