MVU14PCK 时间：2025/8/30 1:38:19 阅读：18

MVU14PCK是一款由ON Semiconductor生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用小型DFN1406封装（1.4mm x 0.6mm），适合空间受限的便携式电子产品设计。MVU14PCK具备低导通电阻、低栅极电荷以及良好的热性能，适用于高效率DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等应用场景。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：320mΩ @ VGS = -4.5V；400mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极电荷（Qg）：8.5nC @ VGS = -4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：DFN1406（1.4mm x 0.6mm）

特性

MVU14PCK采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的栅极电荷较小，使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。此外，其紧凑的DFN1406封装不仅节省空间，还具有良好的热管理性能，能够有效散热。MVU14PCK还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（-2.5V至-4.5V），支持灵活的电源设计，并兼容多种控制器和驱动器。其低漏电流特性在关断状态下可减少待机功耗，适合用于电池供电设备以延长续航时间。MVU14PCK还具有良好的抗静电（ESD）性能，提高了器件在生产、运输和使用过程中的稳定性与安全性。

应用

MVU14PCK广泛应用于便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。其低导通电阻和高效率特性使其成为DC-DC转换器、同步整流器和负载开关的理想选择。此外，该器件也适用于USB电源开关、电池充电管理电路以及各种低电压功率开关应用。由于其封装小巧，MVU14PCK特别适合用于对空间要求严格的高密度电路设计中。