时间：2025/6/14 16:23:12
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IRF8010是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该器件采用TO-252表面贴装封装形式，具备出色的电气特性和热性能，适合于消费电子、工业控制及电源管理领域中的各种应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：6.8A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：0.3Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：2W
工作结温范围：-55℃至+150℃
IRF8010具有较低的导通电阻和高效率，能够在高频条件下保持优秀的开关性能。
其小型化的TO-252封装设计有助于节省PCB空间，并且支持自动化表面贴装工艺。
此外，该器件的高温稳定性使其能够适应苛刻的工作环境，同时提供了可靠的保护机制以避免过载或短路问题。
在静态和动态特性方面，IRF8010均表现出色，从而确保了其在多种负载条件下的稳定运行。
IRF8010适用于直流电机驱动、步进电机控制器、开关电源（SMPS）、逆变器以及LED驱动器等应用场景。
它也常被用作同步整流器中的开关元件，或者用于电池管理系统中的负载切换。
由于其良好的电气性能和散热能力，IRF8010还能够满足高性能音频放大器和其他要求严苛的电子设备需求。
IRF840, IRFZ44N, STP12NK60Z
