FDMS8618 时间：2025/8/25 1:45:19 阅读：9

FDMS8618 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率管理和电源转换领域。该器件采用先进的PowerTrench?技术，优化了导通电阻（Rds(on)）和开关性能，从而提高了效率并减少了功率损耗。FDMS8618常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V = 20mΩ（最大），@2.5V = 26mΩ（最大）
　　功率耗散（Pd）：42W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

特性

FDMS8618 MOSFET采用了飞兆半导体的PowerTrench?技术，这种技术通过优化沟槽结构和单元设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件在4.5V和2.5V的栅极驱动电压下均能保持较低的Rds(on)，使其适用于低压驱动电路，如由数字IC或微控制器直接控制的应用。
　　FDMS8618具有良好的热性能，其PowerPAK SO-8封装提供了优异的散热能力，能够在高电流工作条件下保持稳定运行。该器件的快速开关特性减少了开关损耗，提高了电源转换效率，非常适合高频开关应用，如同步整流、DC-DC降压和升压转换器。
　　此外，FDMS8618具备较高的耐用性和可靠性，在极端温度条件下也能保持良好的性能，工作温度范围从-55°C到+150°C，适合工业和汽车电子等对环境要求较高的应用场合。

应用

FDMS8618 MOSFET广泛应用于多种电源管理与功率控制场景。在DC-DC转换器中，该器件可作为高侧或低侧开关使用，尤其适用于同步整流拓扑结构，以提高效率并减少发热。在负载开关电路中，FDMS8618可以用于控制电源路径，实现对负载的高效通断管理，例如在服务器、笔记本电脑和移动设备中控制外设电源。
　　此外，该器件也适用于电机驱动和电池管理系统（BMS），在这些应用中，低导通电阻和高电流承载能力有助于提高能效并延长电池寿命。FDMS8618的高可靠性和宽工作温度范围也使其适合工业自动化、汽车电子和通信设备中的功率控制应用。