类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤4.5mΩ
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

TND942的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的耐压能力高达100V，适用于多种高压应用场景。其高栅极电压容限（±20V）确保了在复杂电路环境中仍能稳定工作，避免因过压而损坏。
　　TND942的封装形式为TO-247，这种大功率封装有助于提高散热性能，使器件在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性。该器件的热阻（Rth）较低，进一步提升了其在高功率应用中的可靠性。
　　此外，TND942采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其快速的开关速度和低电容特性（如输入电容Ciss、输出电容Coss）使其在DC-DC转换器、同步整流器等应用中表现出色。
　　在可靠性方面，TND942通过了严格的工业标准测试，具备出色的抗雪崩能力和过载能力，适用于恶劣的工作环境。这种高可靠性使其成为工业设备、汽车电子和电源管理系统中的理想选择。

TND942广泛应用于各种高功率电子设备中，例如：1. 电源管理系统：在高效电源转换器、DC-DC转换器和开关电源中，TND942能够提供高效的功率传输，减少能量损耗，提升整体系统效率。2. 电机控制：在电机驱动器和电动工具中，该器件可以处理高电流负载，提供稳定的功率输出，适用于无刷直流电机和步进电机的控制。3. 电池管理系统：在高容量电池组（如电动汽车和储能系统）中，TND942可用于电池充放电控制，确保系统的安全性和高效性。4. 工业自动化：在工业控制系统和自动化设备中，TND942可作为功率开关，控制高功率负载的运行。5. 电信设备：在通信电源和基站设备中，TND942支持高效的功率管理和稳定的运行性能。

STP180N10FZ, IRFP4468PBF, FDP180N10A