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FDMS3572 发布时间 时间:2025/5/7 12:41:11 查看 阅读:20

FDMS3572 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等电路中。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式通常为 SOT-23,适合在紧凑型设计中使用。
  FDMS3572 的主要特点是能够在高频条件下提供高效的功率转换,并且具有较低的栅极电荷,从而减少了开关损耗。此外,它还具有较高的雪崩击穿能力,能够承受短暂的过载情况。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:3.8A
  导通电阻:140mΩ
  栅极电荷:3nC
  总电容(输入电容):350pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 低导通电阻,有助于减少传导损耗,提高效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频应用。
  3. 小型 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  4. 具有良好的热稳定性和可靠性。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应各种环境条件。
  6. 提供出色的雪崩能力和静电防护能力,确保电路的耐用性。

应用

1. 开关电源中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动和负载切换。
  4. 电池保护和便携式设备中的功率管理。
  5. 信号放大和缓冲电路中的开关元件。

替代型号

FDN357N
  FDS4950
  IRLML6402

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FDMS3572参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫欧 @ 8.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2490pF @ 40V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-MLP,Power56
  • 供应商设备封装Power56
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMS3572TR