时间：2025/7/25 18:20:26
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FDME905PT是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench沟槽工艺制造。该器件设计用于高性能电源管理和负载开关应用，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。FDME905PT采用小型化的PowerT6封装，适用于空间受限的便携式电子设备和工业控制系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-5.8A
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS = -10V，40mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerT6
FDME905PT具有多项出色的电气和物理特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达-5.8A，适用于中高功率负载管理应用。
其次，FDME905PT采用先进的Trench沟槽技术，使得其在保持低导通电阻的同时，仍具备优异的开关性能，适用于高频开关电源设计。其栅极驱动电压范围较宽，支持-4.5V至-10V的栅源电压，便于与多种控制器和驱动电路兼容。
FDME905PT广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制、汽车电子以及便携式电子产品。在电源管理模块中，FDME905PT可作为高侧开关或同步整流器使用，以提高整体系统效率。在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，该器件可用于电源路径管理和电池充放电控制。此外，FDME905PT也适用于电机驱动、LED照明控制和智能电表等需要高效能功率开关的场景。
Si4435BDY, FDC6303, IRML2301
