3N20 时间：2025/9/2 23:46:18 阅读：14

3N20是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于需要高效率和高电流承载能力的电子电路中。它以其坚固的结构和良好的热性能而著称，适用于广泛的功率控制应用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A
　　功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻(Rds(on))：约0.45Ω（典型值）
　　封装类型：TO-220AB

特性

3N20 MOSFET具有多个显著的电气和物理特性，使其在功率电子设计中备受青睐。首先，其高漏源电压额定值（200V）使其适用于多种高压应用，如电机控制和直流电源转换。其次，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），在导通状态下能够最大限度地减少功率损耗，提高系统效率。此外，3N20采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　该MOSFET的栅极驱动特性也较为理想，能够在标准逻辑电平下有效工作，兼容常见的驱动电路。3N20的热阻较低，能够在高温环境下保持稳定运行，同时具备较强的短时过载能力，提升了系统的可靠性。此外，由于其采用成熟的硅技术制造，3N20在性能和成本之间实现了良好的平衡，适合于工业控制、电源管理和汽车电子等领域的广泛应用。

应用

3N20广泛应用于多种功率控制和电源管理电路中。它常见于直流电机驱动器、开关电源（SMPS）、逆变器以及电池充电器等设备中。此外，该MOSFET也可用于负载开关、功率放大器和自动控制系统中的高侧或低侧开关应用。由于其高可靠性和良好的热性能，3N20也常被用于工业自动化设备、电动工具和汽车电子系统中的功率调节模块。