类型：双N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：30V
　　源极-栅极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：10.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：13nC
　　功率耗散（Pd）：3.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN

FDME0106DZT MOSFET采用了先进的屏蔽栅沟槽（SGT）技术，使得器件在保持低导通电阻的同时，具备优异的开关性能。这种结构有效降低了栅漏电容，从而减少了开关损耗，提升了整体效率。此外，该器件的封装设计具备良好的散热性能，有助于在高电流条件下维持较低的工作温度。
　　其双N沟道设计使得单个封装内集成两个独立的MOSFET，特别适用于同步整流、负载开关、电机控制以及DC-DC转换器等应用。FDME0106DZT的低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下电压降最小，从而降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在极端工作条件下的稳定性和可靠性。其栅极驱动电压范围宽泛（通常为4.5V至20V），兼容多种驱动电路设计，便于系统集成。由于采用无铅封装，FDME0106DZT符合RoHS环保标准，适用于各种消费类电子和工业级应用。

FDME0106DZT广泛应用于高效能电源管理系统，如笔记本电脑、平板电脑、服务器电源模块、DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动器以及电池管理系统。其紧凑的DFN封装也使其成为高密度PCB设计的理想选择，适用于空间受限的便携式设备和高功率密度的工业设备。

FDME86100DZT, FDMC86100DC, SiR142DP-T1-GE3