时间：2025/7/25 13:09:13
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AGLN125V5-CSG81 是一款由 AnGaN 公司生产的 GaN（氮化镓）功率晶体管。GaN 晶体管因其高电子迁移率、高击穿电场、低导通电阻和高工作频率等特性，被广泛应用于高频电源、射频功率放大器、电力电子转换器等领域。AGLN125V5-CSG81 采用先进的 GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）工艺制造，具有出色的热性能和可靠性。该器件通常用于 5G 通信基础设施、雷达系统、工业加热设备、电源转换器等高性能应用场景。
类型：GaN 功率晶体管
材料：GaN-on-SiC
最大漏极电压（VDS）：125V
最大栅极电压（VGS）：±10V
最大漏极电流（ID）：12.5A
导通电阻（RDS(on)）：典型值 25mΩ
输出功率（CW）：100W @ 2.7GHz
增益：15dB @ 2.7GHz
效率：>70%
封装形式：81引脚陶瓷无引线封装（CSG）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
AGLN125V5-CSG81 是一款高性能 GaN 功率晶体管，具有多项卓越特性。其采用 GaN-on-SiC 工艺，提供了优异的热管理能力，确保器件在高温环境下依然保持稳定运行。该器件的最大漏极电压为 125V，支持高达 12.5A 的漏极电流，适用于高功率密度的设计。导通电阻低至 25mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，AGLN125V5-CSG81 在 2.7GHz 频率下可提供高达 100W 的连续波输出功率，并具备 15dB 的增益和超过 70% 的效率，非常适合用于高频通信和射频功率放大应用。该器件的封装形式为 81 引脚陶瓷无引线封装（CSG），不仅提供了良好的电气性能，还增强了散热能力和机械稳定性。
AGLN125V5-CSG81 广泛应用于高频通信系统、5G 基站、雷达和测试仪器中的射频功率放大器。其高输出功率和高效率特性使其成为无线基础设施、工业加热设备、等离子体发生器、激光驱动器以及电力电子变换器的理想选择。在 5G 网络部署中，该晶体管可支持基站实现更高的数据传输速率和更广的覆盖范围。此外，它也适用于国防和航空航天领域中的高可靠性系统，如战术雷达、卫星通信和电子战设备。由于其优异的热稳定性和耐久性，AGLN125V5-CSG81 在高功率密度和高温环境下表现出色，适合用于各种高性能电子系统。
AGLN125V5-CSG81 的替代型号包括：AGLN125V4-CSG81、AGLN125V6-CSG81、AGLN125V5-CSG81R
