类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：1200 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：12 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180 A
　　正向电压降（VF）：1.55 V（典型值，@ IF = 12 A, Tj = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：250 μA（典型值，@ VR = 1200 V, Tj = 25°C）；5 mA（@ VR = 1200 V, Tj = 175°C）
　　反向恢复时间（trr）：≈ 0 ns（无反向恢复电荷）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +185 °C
　　热阻结到管壳（RθJC）：1.2 °C/W
　　封装类型：TO-247-2L

CSP12S120SG的核心优势在于其基于碳化硅半导体材料所实现的一系列卓越电气与热性能。首先，该器件具备极低的正向导通压降与几乎为零的反向恢复电荷，这意味着在高频开关操作中不会产生由少数载流子累积引起的反向恢复电流尖峰，从而大幅降低了开关损耗和电磁干扰，提升了系统的整体能效和稳定性。这一特性特别适用于硬开关拓扑如升压PFC、LLC谐振转换器和三相逆变器等。
　　其次，碳化硅材料具有宽禁带（约3.2eV），使其能够在高达175°C的结温下长期稳定运行，远高于传统硅器件的限制。这种高温耐受能力不仅允许器件在恶劣环境中可靠工作，还减少了对复杂散热系统的需求，有助于缩小电源系统的体积并提升功率密度。同时，较低的热阻（1.2°C/W）确保了热量可以高效地从PN结传导至外部散热器，进一步增强了热管理能力。
　　再者，CSP12S120SG展现出极低的温度依赖性，其正向压降和漏电流随温度变化相对平缓，保证了在不同负载和环境条件下的性能一致性。尤其是在高温条件下，虽然漏电流有所上升，但仍处于可控范围内，不会引发热失控问题。此外，该器件对dv/dt应力具有较强的耐受性，避免了因快速电压变化导致的误触发或局部击穿风险。
　　最后，作为一款无掺杂p-n结的肖特基势垒二极管，CSP12S120SG从根本上消除了少数载流子存储效应，实现了真正的“软”开关行为。这不仅延长了器件寿命，也提高了系统在高频工况下的可靠性。综合来看，这些特性使得CSP12S120SG成为现代高效能电力电子系统中不可或缺的关键元件。

CSP12S120SG凭借其高耐压、低损耗和高温稳定性的特点，被广泛应用于多种高性能电力电子系统中。在太阳能光伏逆变器中，它常用于直流侧升压电路（Boost Stage），作为续流二极管或输出整流元件，有效减少能量损失并提升转换效率，特别是在早晚弱光条件下仍能保持良好性能。
　　在电动汽车领域，该器件可用于车载充电机（OBC）和DC-DC变换器中，支持高频率工作模式以减小磁性元件体积，并提高整体能效。其出色的热表现也适应了电动车紧凑空间内的散热挑战。
　　在工业电机驱动系统中，CSP12S120SG通常配置于三相逆变桥的续流支路，用于吸收感性负载产生的回馈电流。由于其无反向恢复特性，可显著降低IGBT或SiC MOSFET在关断时的电压应力和功耗，从而提升驱动系统的动态响应速度和可靠性。
　　此外，在不间断电源（UPS）和服务器电源等高可用性电源设备中，该器件用于功率因数校正（PFC）级，帮助实现>98%的系统效率，并满足严格的能效标准如80 PLUS Titanium认证。
　　其他应用场景还包括感应加热设备、焊接电源、风力发电变流器以及高端电信电源模块等。在这些系统中，CSP12S120SG不仅能承受高电压冲击和瞬态过载，还能在长时间连续运行中保持稳定的电气参数，体现出卓越的耐用性和工程价值。

C4D12120D
　　SD12120C
　　VSK12120C