时间：2025/5/22 17:18:48
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SI2308 A8SHB 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小尺寸的 TSOP-6 封装，适用于空间受限的应用场合。它具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，使其成为高效功率转换应用的理想选择。
该器件主要应用于负载开关、DC-DC 转换器、电源管理电路以及电池供电设备等领域。
型号：SI2308 A8SHB
封装：TSOP-6
VDS（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值@ Vgs=10V）：5.5mΩ
ID（持续漏极电流）：27A
fQ（栅极电荷）：9nC
VGS(th)（阈值电压）：1.5V～3.0V
工作温度范围：-55℃～150℃
SI2308 A8SHB 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力（27A），支持大功率应用。
3. 快速开关特性，降低开关损耗，适合高频操作。
4. 小型 TSOP-6 封装，节省 PCB 空间。
5. 较宽的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应各种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
SI2308 A8SHB 可广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 笔记本电脑、平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
4. 电池保护电路。
5. 电机驱动与控制。
6. 各类工业及消费类电子产品中的电源管理单元。
SI2304DS, SI2306DS, SI2309DS
