时间：2025/8/24 8:28:35
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FDMC86260是一款高性能的N沟道功率MOSFET，由安森美半导体（ON Semiconductor）制造。这款IC专为高效能和高可靠性应用而设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。FDMC86260采用先进的PowerTrench?技术，优化了导通电阻和开关性能，以满足现代电子设备对能效和热管理的严格要求。该器件采用8引脚SOIC封装，具备良好的热性能和空间效率，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A（@25°C）
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（@VGS=10V）
功率耗散（PD）：3.3W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：8-SOIC
引脚数：8
FDMC86260具有多个关键特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为18mΩ，能够在高电流应用中显著降低功率损耗，从而提高系统效率。其次，该器件采用安森美先进的PowerTrench?技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和可靠性。此外，FDMC86260具有快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其8引脚SOIC封装不仅节省空间，还提供良好的散热性能，确保器件在高负载条件下稳定运行。栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容多种驱动电路设计。最后，FDMC86260具备高雪崩能量耐受能力，增强了在极端工作条件下的鲁棒性。
FDMC86260因其高性能和可靠性，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件常用于同步整流、DC-DC降压/升压转换器以及负载开关设计，以提高能效和减小电路尺寸。在工业自动化和电机控制中，FDMC86260可用于驱动直流电机、步进电机和继电器，提供稳定的开关性能。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等高可靠性系统。在消费类电子产品中，FDMC86260可作为高效率的功率开关，用于电源适配器、充电器和LED驱动电路。
Si9410BDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS6680AS, FDMC86252
