G952T23U 时间：2025/7/16 11:55:52 阅读：17

G952T23U是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够显著提高系统的效率和可靠性。
　　这款MOSFET为N沟道增强型器件，适合于高频开关应用，同时具备优秀的热特性和低开关损耗，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。

参数

型号：G952T23U
　　类型：N沟道功率MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：48A
　　导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：180W
　　结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247

特性

G952T23U具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低导通损耗，提升整体系统效率。
　　2. 高电流承载能力，可满足高功率应用场景的需求。
　　3. 快速开关速度，支持高频工作环境，减少开关损耗。
　　4. 良好的热稳定性，即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
　　5. 符合RoHS标准，环保设计，适合全球市场应用。
　　6. 提供强大的抗静电保护，增强了器件的可靠性。
　　7. 封装形式为TO-247，便于散热和安装，适合多种功率模块的应用场景。

应用

G952T23U适用于以下典型应用：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
　　2. DC-DC转换器的核心功率器件。
　　3. 各类电机驱动电路中的开关元件。
　　4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
　　5. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
　　6. 工业自动化设备中的功率调节和控制。
　　7. 其他需要高性能功率开关的场合，如逆变器和不间断电源(UPS)系统。