G952T23U是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款MOSFET为N沟道增强型器件,适合于高频开关应用,同时具备优秀的热特性和低开关损耗,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
型号:G952T23U
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):48A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):180W
结温范围(Tj):-55°C至+175°C
封装形式:TO-247
G952T23U具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低导通损耗,提升整体系统效率。
2. 高电流承载能力,可满足高功率应用场景的需求。
3. 快速开关速度,支持高频工作环境,减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性,即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
5. 符合RoHS标准,环保设计,适合全球市场应用。
6. 提供强大的抗静电保护,增强了器件的可靠性。
7. 封装形式为TO-247,便于散热和安装,适合多种功率模块的应用场景。
G952T23U适用于以下典型应用:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 各类电机驱动电路中的开关元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
5. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
6. 工业自动化设备中的功率调节和控制。
7. 其他需要高性能功率开关的场合,如逆变器和不间断电源(UPS)系统。
IRF540N
FDP55N60
STP40NF06L