您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 74CBTLV1G125GN

74CBTLV1G125GN 发布时间 时间:2025/9/13 23:11:14 查看 阅读:32

74CBTLV1G125GN 是一款由 Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)生产的高速、低电压、单路总线开关集成电路。该器件属于 74CBTLV 系列,广泛用于数字电路中,作为高速数据路径的开关或缓冲器。该器件采用单电源供电,支持低至 1.65V 至 3.6V 的宽电压范围,适用于多种低功耗、高性能的应用场景。其封装形式为 SOT23-5,适合用于空间受限的便携式电子产品中。

参数

类型:总线开关/缓冲器
  通道数:1
  电源电压范围:1.65V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOT23-5
  最大传播延迟:1.8ns(典型值)
  输入/输出电压兼容性:支持 1.8V、2.5V、3.3V 电平
  ESD 保护:±2000V(HBM)
  静态电流(ICC):最大 10μA
  开关频率:最高可达 200MHz

特性

74CBTLV1G125GN 是一款高性能、低功耗的单路总线开关,适用于多种数字逻辑设计和高速数据路径控制应用。其主要特性包括:
  ? 宽电压操作范围:允许在 1.65V 至 3.6V 的电压范围内正常工作,使其适用于多种低压系统设计,如移动设备、嵌入式系统和工业控制设备。
  ? 高速开关性能:典型传播延迟仅为 1.8ns,支持高达 200MHz 的开关频率,适用于对时间要求严格的高速数字电路。
  ? 低功耗设计:静态电流(ICC)最大仅为 10μA,在待机或低负载状态下可显著降低功耗,适用于电池供电设备。
  ? 三态输出控制:通过使能端(OE)可将输出设置为高阻态,方便多个设备共享同一总线,提升系统灵活性和扩展性。
  ? 高 ESD 保护能力:器件内置高达 ±2000V(HBM)的静电放电保护,增强了其在工业环境中的可靠性和稳定性。
  ? 引脚兼容性强:采用标准 SOT23-5 封装,便于替换和集成到现有设计中,同时节省 PCB 面积。
  ? 输入/输出电平兼容性好:支持不同电压域之间的信号传输,例如从 1.8V 控制器控制 3.3V 外设,增强了系统的互操作性。

应用

74CBTLV1G125GN 广泛应用于需要高速、低功耗和电压兼容性的数字系统中。常见应用包括:
  ? 信号路由与总线隔离:在微控制器、FPGA 和 DSP 系统中用于隔离不同的信号路径或总线段。
  ? 电平转换:用于不同电压域之间的信号转换,例如在 1.8V 控制器与 3.3V 外设之间进行数据通信。
  ? 存储器接口控制:在 SRAM、Flash 存储器与主控芯片之间提供高速信号隔离和切换。
  ? 工业自动化设备:用于提高系统模块间的信号隔离性和抗干扰能力。
  ? 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑、穿戴设备等,用于节省空间和降低功耗。
  ? 通信设备:如路由器、交换机、基站模块等,用于高速数据信号的路由和隔离。

替代型号

74LVC1G125GW, 74AUP1G125GW, SN74CBTLV1G125DBVR

74CBTLV1G125GN推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价