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SCH2315-S-TL-E 发布时间 时间:2025/9/20 23:26:20 查看 阅读:12

SCH2315-S-TL-E是一款由Southchip(南芯半导体)推出的同步整流控制器芯片,广泛应用于反激式(Flyback)拓扑结构的开关电源中,特别是在高效率、高功率密度的AC-DC电源适配器、充电器和PD快充产品中表现优异。该芯片通过智能检测MOSFET的漏源电压(VDS)来精确控制同步整流管的导通与关断时序,从而替代传统肖特基二极管整流,显著降低整流损耗,提升系统整体转换效率。SCH2315-S-TL-E采用先进的自适应开通与关断延迟补偿技术,能够有效避免误触发和体二极管导通时间过长等问题,确保在各种负载条件下都能实现稳定可靠的同步整流操作。该器件具备宽范围的工作电压设计,支持多种输出电压配置,并集成了多重保护功能,如过温保护、欠压锁定等,提升了系统的安全性和可靠性。封装形式为小型化SOT-23-6L或类似贴片封装,有利于节省PCB空间,适用于紧凑型电源设计。

参数

工作电压范围:4.5V ~ 20V
  启动电流:典型值<60μA
  静态工作电流:典型值<1.2mA
  最大驱动能力:灌电流/拉电流 >300mA / >200mA
  开通响应时间:典型值<30ns
  关断响应时间:典型值<45ns
  工作结温范围:-40°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-23-6L
  引脚数:6
  同步整流控制方式:VDS检测模式
  自适应延迟补偿:支持
  保护功能:过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)

特性

SCH2315-S-TL-E采用高性能VDS检测同步整流控制技术,能够在反激变换器的次级侧精准感知MOSFET的漏源电压变化,自动判断何时开启和关闭同步整流管,从而最大限度地减少导通损耗并避免反向电流。其核心优势在于内置了智能自适应开通与关断延迟补偿算法,可动态调节驱动信号的时序,有效应对不同MOSFET寄生参数、变压器漏感以及线路布局带来的传播延迟差异,防止因误判导致的短路或效率下降问题。该芯片具备极低的启动电流和静态功耗,有助于满足能源之星、CoC Tier 2等国际能效标准要求,在轻载及待机状态下仍能保持高效率运行。此外,SCH2315-S-TL-E具有出色的抗噪声干扰能力,内部集成滤波和消隐电路,可在高压快速切换环境下稳定工作,避免因dV/dt瞬态干扰引起的误触发现象。
  该器件还支持宽范围输入电压应用,适用于多类输出电压配置,包括5V、9V、12V、15V、20V等多种PD快充协议下的输出场景。其高集成度设计简化了外围电路,无需额外添加复杂的辅助绕组或光耦反馈路径即可实现精确控制,降低了整体BOM成本和设计复杂度。得益于SOT-23-6L的小型封装,SCH2315-S-TL-E非常适合用于高功率密度便携式设备电源,如手机快充、笔记本适配器、Type-C电源模块等。同时,芯片内部集成了多重保护机制,包括过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO),当芯片温度超过安全阈值或供电电压低于正常工作范围时,会自动关闭输出以保护自身及系统安全,进一步增强了产品的可靠性和耐用性。

应用

SCH2315-S-TL-E主要应用于各类高效率反激式开关电源系统中,特别适合用于USB PD快充适配器、QC/AFC/VOOC等多协议充电器、手机及平板电脑原装充电头、笔记本电脑电源适配器、智能家居供电模块、工业小功率电源模块以及车载充电设备等领域。由于其高效的同步整流性能和优异的动态响应能力,该芯片常被用于提升次级侧整流效率,取代传统的肖特基二极管,尤其在追求高能效、低温升和小体积的设计中表现出色。在基于准谐振(QR)或连续导通模式(CCM)工作的反激变换器中,SCH2315-S-TL-E能够全程提供稳定的同步整流控制,显著降低整流环节的功耗,提高整体电源转换效率至90%以上,甚至接近95%。此外,该芯片也适用于需要满足六级能效(DoE Level VI)、欧盟CoC V5 Tier 2等严苛环保法规的产品设计中。在实际应用中,常与初级侧PWM控制器(如南芯SC2001、SC300x系列)配合使用,构成完整的高性能AC-DC电源解决方案。其紧凑的封装形式和简单的外围电路使得它易于布局在空间受限的PCB上,广泛服务于消费电子、移动终端、IoT设备供电等市场领域。

替代型号

SCH2315W,SCH2315S,SR8703,MP6908A,IP6615,SY8703

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