EMB35N04A 时间：2025/5/7 17:14:31 阅读：11

EMB35N04A 是一款高性能的 N 沣道晶體管（N-Channel MOSFET），主要应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，从而提高了系统效率并降低了能耗。
　　EMB35N04A 的设计使其在各种工业和消费类电子应用中表现出色，同时其封装形式也便于集成和散热管理。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：35A
　　导通电阻：4mΩ
　　栅极电荷：28nC
　　开关时间：ton=16ns, toff=19ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

EMB35N04A 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效减少传导损耗。
　　2. 高电流处理能力，支持高达 35A 的连续漏极电流。
　　3. 快速开关性能，适合高频应用。
　　4. 耐高温设计，能够在极端条件下稳定运行。
　　5. 封装紧凑，易于安装和使用。
　　这些特性使 EMB35N04A 成为需要高效功率控制的应用的理想选择。

应用

EMB35N04A 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动和控制电路。
　　3. 负载开关和保护电路。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理。
　　5. 汽车电子系统的功率模块。
　　其卓越的性能和可靠性使得该器件在众多高要求的应用环境中表现优异。