类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：12A（在 Vgs=10V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 9.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功耗（Pd）：44W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

DME2458 的关键特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件在 10V 的栅极驱动电压下表现出最佳的导通性能，同时在 4.5V 的较低电压下仍能保持良好的导通能力，使其适用于多种电源管理场景。
　　此外，DME2458 采用了 PowerPAK SO-8 封装，这种封装形式不仅提供了良好的热性能，还具有较小的占板面积，非常适合高密度 PCB 设计。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也确保了在高噪声环境中的稳定工作。
　　这款 MOSFET 还具备较高的耐用性和热稳定性，能够在较高的环境温度下正常运行。其 44W 的最大功耗允许在高负载条件下使用，而不会出现明显的性能下降。这些特性使得 DME2458 成为一款非常适合用于工业级应用的功率器件。

DME2458 常见于各类电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、电池充电电路和负载开关设计。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的应用，例如服务器电源、笔记本电脑电源管理模块以及工业自动化设备的电源系统。
　　在汽车电子领域，DME2458 也可用于车载充电器、LED 照明驱动电路和车载信息娱乐系统的电源部分。其优异的热性能和稳定性使其在高温环境下依然表现良好，适用于各种恶劣工作条件。
　　除此之外，DME2458 还可用于马达驱动电路、电源适配器以及各种高效率开关电源（SMPS）中。其封装形式和电气特性使其成为替代传统 TO-220 或 DPAK 封装 MOSFET 的理想选择，特别是在对空间和效率有较高要求的设计中。

Si4410BDY, IRF7413, FDS6680, AO4406