FDMC86139P 时间：2025/7/23 19:35:53 阅读：7

FDMC86139P是一款由安森美半导体（onsemi）推出的高性能双N沟道功率MOSFET器件，采用先进的Trench沟槽技术制造，旨在提供高效率和低导通电阻。该器件封装在紧凑的5x6毫米DFN封装中，具有良好的热性能和电气性能，适用于空间受限且对效率要求较高的应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块等。FDMC86139P的工作电压和电流能力使其成为许多中功率应用中的理想选择。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流（ID）：11A @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN5x6

特性

FDMC86139P具备多项卓越的电气特性，首先，其双N沟道结构允许在同一个封装中实现两个独立的功率MOSFET，从而减少PCB空间并提高系统集成度。该器件采用先进的Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），同时优化了开关性能，从而提高了整体效率。
　　其次，FDMC86139P的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关动作，减少了开关损耗，适合高频应用。此外，其高耐压特性（30V VDS）使得该器件在多种电压环境下都能稳定运行，具备良好的安全裕量。
　　在封装方面，DFN5x6封装具有优良的热管理能力，有助于将热量从芯片传导到PCB，从而提升器件的可靠性。这种封装也支持表面贴装技术（SMT），适合自动化装配流程。此外，FDMC86139P还具备良好的抗瞬态电压和电流能力，可在复杂电磁环境中稳定工作。
　　该器件的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业级和汽车级应用，例如车载电源系统、工业自动化设备、便携式电子设备以及高密度电源模块等。

应用

FDMC86139P广泛应用于各种功率管理和电源转换系统。首先，在DC-DC转换器中，该器件凭借其低RDS(on)和高效率特性，能够有效降低能量损耗，提高转换效率。其次，在负载开关和电池管理系统中，FDMC86139P可用于高效控制电流流动，确保系统的稳定性和安全性。
　　此外，该器件也适用于电机驱动、LED驱动器和电源管理模块等应用。其高集成度和小型化设计使其成为便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能移动设备等）中的理想选择。
　　在汽车电子领域，FDMC86139P可用于车载充电器、车载信息娱乐系统、电动助力转向系统等，满足汽车环境对高可靠性和耐温性能的要求。