类型：NAND Flash
　　容量：1Gb（128MB）
　　电压范围：1.8V - 3.3V
　　接口：8位 NAND 接口
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：根据具体数据手册
　　擦写周期：约10万次
　　数据保持时间：10年
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H9DA1GG51HBMBR-4EM 是一款高性能的NAND闪存芯片，具备多方面的优良特性。首先，其支持高速读写操作，适用于大量数据存储和频繁数据访问的应用场景。其次，该芯片具备良好的耐用性和可靠性，擦写周期可达10万次，数据保持时间长达10年，适合长期使用的嵌入式系统。此外，它的工作温度范围较宽，支持-40°C至+85°C的工业级温度范围，适用于各种恶劣环境下的应用。该芯片还具备低功耗设计，适合对能耗敏感的便携式设备使用。其8位并行NAND接口设计，使其能够与多种主控器兼容，提高了系统设计的灵活性。
　　在制造工艺方面，H9DA1GG51HBMBR-4EM采用了先进的工艺技术，确保了芯片在高密度存储的同时，仍具备稳定的电气性能和数据完整性。其BGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了芯片的散热性能和机械稳定性，适用于高振动或高冲击环境。

H9DA1GG51HBMBR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中。其中包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、数码相机、智能穿戴设备、车载导航系统以及工业控制设备等。在这些应用中，该芯片主要用于存储操作系统、应用程序、用户数据及固件更新等信息。由于其高可靠性和宽温工作范围，也常被用于工业自动化设备、医疗电子设备以及汽车电子系统中。

H9DA1GH51HCUR-4EMC, H9DA1GH51HAJR-4EMC, K9F1G08U0D-PCB0