TD214AT1-GV是一款高性能的MOSFET晶体管,专为高频开关和功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)的应用场景,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
该芯片的工作电压范围较广,能够承受较高的漏源极电压,并且具备良好的电流处理能力。同时,其内置的ESD保护机制也提高了产品的可靠性和稳定性。
最大漏源极电压(Vds):60V
最大栅源极电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):3.9A
导通电阻(Rds(on)):0.05Ω
栅极电荷(Qg):11nC
开关频率:高达5MHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 低导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
2. 高开关频率支持,适用于高频应用场景。
3. 封装体积小,易于集成到紧凑型设计中。
4. 内置ESD保护功能,提高系统可靠性。
5. 良好的热稳定性和电气性能,确保长时间运行无故障。
6. 支持表面贴装技术(SMT),提升生产效率。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. LED驱动器中的开关元件。
5. 各类便携式电子设备的电源管理模块。
6. 工业自动化控制系统中的功率控制部分。
IRF7404, FDP5580, AO3400