时间：2025/7/4 1:28:04
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TD214AT1-GV是一款高性能的MOSFET晶体管，专为高频开关和功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装技术(SMT)的应用场景，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
该芯片的工作电压范围较广，能够承受较高的漏源极电压，并且具备良好的电流处理能力。同时，其内置的ESD保护机制也提高了产品的可靠性和稳定性。
最大漏源极电压(Vds)：60V
最大栅源极电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：3.9A
导通电阻(Rds(on))：0.05Ω
栅极电荷(Qg)：11nC
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻(Rds(on))，可有效降低功率损耗。
2. 高开关频率支持，适用于高频应用场景。
3. 封装体积小，易于集成到紧凑型设计中。
4. 内置ESD保护功能，提高系统可靠性。
5. 良好的热稳定性和电气性能，确保长时间运行无故障。
6. 支持表面贴装技术(SMT)，提升生产效率。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. LED驱动器中的开关元件。
5. 各类便携式电子设备的电源管理模块。
6. 工业自动化控制系统中的功率控制部分。
IRF7404, FDP5580, AO3400
