时间：2025/12/25 6:36:35
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FDMC7692S是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能电源管理应用而设计，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特点。FDMC7692S采用先进的PowerTrench?技术制造，能够承受较高的电流和电压应力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和各种电源管理电路。该器件封装为8引脚SOIC（表面贴装），具有良好的散热性能和空间利用率。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：9.4A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：24mΩ（典型值，VGS=10V）
阈值电压（VGS(th)）：1.5V至2.5V
最大功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOIC-8
FDMC7692S的主要特性之一是其低导通电阻，典型值仅为24mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。这种低RDS(on)特性使其非常适合用于高电流应用，如电源转换器和负载开关。
此外，该MOSFET采用了先进的PowerTrench?技术，使得器件在高电流和高频率工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。这种技术通过优化晶圆结构，提高了器件的电流承载能力，并降低了开关损耗。
FDMC7692S还具有较高的栅极电压容限，允许在±20V的栅源电压下正常工作，从而提高了驱动电路的设计灵活性。其阈值电压范围为1.5V至2.5V，适合与多种逻辑电平的驱动器配合使用，简化了控制电路的设计。
该器件的封装形式为8引脚SOIC，属于表面贴装型封装，具有良好的散热性能，能够在高密度PCB布局中有效散热。此外，该封装形式还提高了焊接可靠性和自动化装配的便利性，适用于大规模生产。
由于其优异的电气性能和机械特性，FDMC7692S在工作温度范围为-55°C至+150°C之间，能够在各种环境条件下稳定运行。其最大功耗为2.5W，确保了在高负荷工作状态下的稳定性。
FDMC7692S广泛应用于电源管理系统，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。它也常用于服务器、笔记本电脑、台式机和其他高性能计算设备中的电源管理模块。此外，该MOSFET还可用于LED照明、工业自动化设备和通信设备中的电源控制电路。
Si7362DP, IRF7319, FDS6675, FDMS7610
