时间：2025/4/29 15:56:25
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ISC058N04NM5是一款基于硅材料制造的高压MOSFET器件，采用N沟道增强型设计。它主要适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业控制应用中。该器件具有较低的导通电阻和良好的开关性能，能够在高频率下实现高效的功率转换。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻：1.3Ω
栅极电荷：29nC
开关速度：高
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃至150℃
ISC058N04NM5具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达400V的工作电压，适用于多种高压场景。
2. 极低的导通电阻，仅为1.3Ω，有助于降低功耗并提升效率。
3. 栅极电荷较小（29nC），使得器件在高频应用中表现优异。
4. 优化的热性能，适合长时间稳定运行。
5. 提供出色的雪崩击穿能力和耐用性，增强了整体可靠性。
ISC058N04NM5广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动与控制
5. 工业自动化设备
6. 其他需要高压开关的电子电路中
IRF540N
FDP17N10
STP17NF06
