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FDMC2523P 发布时间 时间:2025/5/14 17:04:46 查看 阅读:27

FDMC2523P是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用TO-263封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于多种电源管理场景,如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等。其高效率和紧凑的设计使其成为现代电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(典型值):7mΩ
  总功耗:28W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

FDMC2523P具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 优化的热性能设计,提高了散热效率。
  4. 强大的短路耐受能力,提升了系统可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. 小巧的TO-263封装,节省电路板空间。

应用

FDMC2523P广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的同步整流。
  3. 汽车电子系统的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的电机控制。
  5. 电池管理系统中的保护电路。
  6. 各类便携式设备的高效功率管理方案。

替代型号

FDMC2523L, FDP5500, IRFZ44N

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FDMC2523P参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds270pF @ 25V
  • 功率 - 最大42W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装8-Power33(3x3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMC2523PTR