时间：2025/5/10 14:31:56
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BSS5250是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛用于低电压和低功耗的应用场景，具有较低的导通电阻和快速开关特性。BSS5250通常被设计用于便携式设备、电池管理系统、负载切换以及信号电平转换等应用领域。
BSS5250的主要特点包括其极小的封装尺寸和较高的性能指标，非常适合对空间和效率要求严格的现代电子系统。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：-0.6A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.8Ω
总功耗：360mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
BSS5250采用SOT-23的小型表面贴装封装形式，能够显著节省PCB空间。它具有非常低的导通电阻，这使得其在高效率的开关应用中表现出色。
此外，BSS5250具备良好的热稳定性和电气性能，确保在各种环境条件下都能可靠运行。其快速开关能力使其成为高频电路的理想选择。
由于其低漏电流特性和宽泛的工作温度范围，BSS5250可以满足多种工业和消费类电子产品的严格要求。
BSS5250适用于众多低功率电子设备，例如手机充电器、笔记本电脑适配器、DC/DC转换器和LED驱动电路等。它也常用于电池供电设备中的电源管理模块，以实现高效的电能转换与分配。
此外，BSS5250还可以作为信号电平转换器或保护电路元件使用，在防止过流、过压及短路方面发挥重要作用。
BSS123, BSS138, AO3400
