时间：2025/8/17 23:26:40
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CXK5T81000ATM10LLX是一款由国内厂商设计和生产的高性能存储芯片，属于DRAM（动态随机存取存储器）类别。该芯片主要面向需要高速数据存取的应用场景，具备较高的存储容量和稳定性。其设计目标是满足现代电子设备对存储性能的高要求，广泛应用于通信设备、工业控制系统以及高性能计算模块中。
容量：8Gb
类型：DRAM
封装类型：FBGA
电压：1.8V
工作温度：-40°C至+85°C
接口类型：并行接口
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
数据宽度：16位
封装尺寸：98球FBGA
CXK5T81000ATM10LLX具有出色的稳定性和高速存取能力，能够在高温和复杂电磁环境下保持可靠运行。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，有助于降低功耗并延长数据保持时间。此外，它还具备低功耗设计，适用于对能效有较高要求的应用场景。其高容量和并行接口设计使其特别适合需要大量数据吞吐的系统，如嵌入式处理器平台和高速缓存控制器。
在制造工艺上，CXK5T81000ATM10LLX采用了先进的DRAM技术，确保了芯片在高频操作下的稳定性。其封装形式为98球FBGA，有助于提高空间利用率并减少电路板布线难度。该芯片还支持多种工作模式，包括突发模式（Burst Mode）和低功耗待机模式，以满足不同应用场景的需求。
该芯片还具备良好的兼容性，能够与多种主控芯片和存储控制器配合使用，简化系统设计并提升整体性能。同时，其宽温工作范围使其适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。
CXK5T81000ATM10LLX广泛应用于工业自动化设备、通信基站、网络交换设备、高性能计算模块、车载控制系统以及智能终端设备。它特别适合需要大容量高速存储支持的嵌入式系统和实时数据处理平台。
MT48LC16M16A2B4-6A、K4T51163QI-HCE6、CY7C1513V18-166BZXC
