时间：2025/7/23 16:20:16
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M29DW323DT70ZE6是一款由STMicroelectronics制造的32兆位（Mbit）NOR型闪存芯片，采用并行接口设计，广泛应用于需要快速读取和可靠存储的嵌入式系统中。该芯片具有高性能和低功耗特性，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等领域。
存储容量：32Mbit（4MB）
存储结构：NOR Flash
电源电压：2.3V至3.6V
工作温度：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：56
接口类型：并行接口（x8/x16）
读取访问时间：70ns
编程/擦除电压：内部电荷泵提供
编程时间：100μs/word（典型）
擦除时间：1s/sector（典型）
M29DW323DT70ZE6具备多项高性能特性。其NOR闪存结构支持快速随机读取访问，访问时间仅为70ns，适用于代码执行和数据存储的混合应用场景。该芯片支持x8和x16两种数据总线模式，提供灵活的接口配置选项。内部集成电荷泵电路，无需外部高压编程电源，简化了系统设计。芯片支持页编程和扇区擦除功能，编程时间为100μs/word，擦除时间为1s/sector，确保高效的数据更新能力。M29DW323DT70ZE6的电源电压范围为2.3V至3.6V，适应多种电源环境，并具备低功耗待机模式，适用于对能耗敏感的应用。该芯片还支持软件数据保护机制，防止误编程和误擦除操作，提高数据存储的可靠性。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级和汽车电子应用的严苛环境要求。
M29DW323DT70ZE6常用于需要快速代码执行和稳定存储的嵌入式系统，例如工业控制器、汽车导航系统、通信设备、智能卡终端以及消费类电子产品中的固件存储模块。
M29DW323DT70GB6, M29DW323DT70ZB6, M29DW323DT90ZE6
